Upornost laminata Gpo3

Proučevali smo metodo in značilnosti 2100kev visokoenergijskega vbrizgavanja vanadija v polizolacijski sloj gpo3 laminata. Porazdelitev koncentracije vbrizganega sloja je simulirala programska oprema za analizo Monte Carlo. Z uporabo strukture mesa za gpo3 je bilo ugotovljeno, da je upornost implantirane plasti vanadija tesno povezana z začetno prevodnostjo sloja gpo3 Pri sobni temperaturi je upornost iz vanadija implantiranega p-tipa in n-tipa 4H SiC je 1,6 × 10^10 oziroma 7,6 × 10^6 Ω· cm Meri se upornost pri različnih temperaturah žarjenja. Ugotovljeno je, da je visokotemperaturno žarjenje ugodno za aktivacijo substitucije vanadija in poveča upornost. Zaradi vpliva difuzije vanadija se upornost nekoliko zmanjša po žarjenju pri 1700 stopinjah. Izmerjena je bila upornost implantirane plasti SiC vanadija n-tipa pri 20 ~ 140 stopinjah. Aktivacijska energija nivoja akceptorja vanadija v 4H SiC je bila izračunana na 0,78 ev